@misc{Nossarzewska-Orłowska_Elżbieta_Generacja_1995, author={Nossarzewska-Orłowska Elżbieta}, volume={23}, number={4}, editor={Wodzińska Halina}, editor={Skwarcz Jerzy}, editor={Tkaczuk Andrzej}, editor={Zielińska Teresa}, editor={Nowotniak Helena}, copyright={Rights Reserved - Free Access}, address={Warszawa}, journal={Electronic Materials}, howpublished={online}, year={1995}, publisher={ITME}, language={pol}, type={Text}, title={Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji = Generation of dislocation slips in Si wafers during epitaxial process}, URL={http://rcin.org.pl/Content/15121/PDF/WA901_14912_M1_r1995-t23-z4_Mater-Elektroniczne_Nossarzewska_i.pdf}, keywords={Electronic - materials, Electronic - journal - materials, doslocation slip, silicon epitaxy, silicon wafer}, }