@misc{Hofman_Władysław_Badanie_1979,
 author={Hofman Władysław},
 volume={23},
 editor={Pawłowska Marta},
 editor={Wierzchowski Wojciech},
 editor={Wąsowski Jan},
 number={3},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 address={Warszawa},
 journal={Electronic Materials},
 howpublished={online},
 year={1979},
 publisher={Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"},
 language={pol},
 type={Text},
 title={Badanie defektów krystalograficznych generowanych w trakcie operacji wytwarzania tranzystora p-n-p = Examination of crystallographic defects during p-n-p transistor process technology},
 URL={http://rcin.org.pl/Content/18406/PDF/WA901_11366_M1_r1978-z3-23_Mater-Elektron-Hof_i.pdf},
 keywords={Electronic - journal - materials, Electronic - materials, crystallographic defect, transistor technology},
}