@misc{Dumiszewska_Ewa_Optymalizacja_2011,
 author={Dumiszewska Ewa},
 volume={39},
 number={3},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 address={Warszawa},
 journal={Electronic Materials},
 howpublished={online},
 year={2011},
 publisher={ITME},
 language={pol},
 type={Text},
 title={Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds},
 URL={http://rcin.org.pl/Content/27753/PDF/WA901_17050_M1_r2011-t39-z3_Mater-Elektron-Dum_i.pdf},
 keywords={Electronic - journal - materials, Electronic - materials, solar cells, MOCVD, InGaP/Ge junction},
}