@misc{Gładysz_Maria_Badanie_1983,
 author={Gładysz Maria},
 volume={42},
 editor={Roszkiewicz Krzysztof},
 editor={Surma Barbara},
 number={2},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 address={Warszawa},
 journal={Electronic Materials},
 howpublished={online},
 year={1983},
 publisher={Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"},
 language={pol},
 type={Text},
 title={Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 = Investigation of radiative recombination in GaAs1-xPx epitaxial layers with 0,3<x<0,44},
 URL={http://rcin.org.pl/Content/7660/PDF/WA901_12303_M1_r1983-z2-42_Mater-Elektroniczne_Gladysz_i.pdf},
 keywords={Electronic - journal - materials, Electronic - materials, epitaxial layers, GaAsP, radiative recombination},
}