@misc{Kamiński_Paweł_Wpływ_1986,
 author={Kamiński Paweł},
 volume={53},
 editor={Sroczyński Paweł},
 editor={Surma Barbara},
 number={1},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 address={Warszawa},
 journal={Electronic Materials},
 howpublished={online},
 year={1986},
 publisher={Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"},
 language={pol},
 type={Text},
 title={Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4},
 URL={http://rcin.org.pl/Content/9500/PDF/WA901_12450_1_M1_r1986-z1-53_Mater-Elektroniczne_Kaminski_i.pdf},
 keywords={Electronic - journal - material, Electronic materials, dislocation density, defect, GaAsP:Te, epitaxy layer},
}