%0 Generic %T Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii %A Kamiński Paweł %8 2010 %U http://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/27737