TY - GEN N1 - s. 27-[40] : il. ; 24 cm N1 - Bibliogr. s. [40] L1 - http://rcin.org.pl/Content/26978/PDF/WA901_44599_M1_r1978-z4-24_Mater-Elektron-Torun_i.pdf M3 - Text J2 - Materiały Elektroniczne 1978 nr 4(24) PY - 1978 IS - 4 EP - 40 KW - Electronic - journal - materials KW - Electronic - materials KW - heterostructure KW - GaAsP KW - TEM A1 - Toruń Jędrzej A2 - Wójcik Marek Stanisław PB - Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA" VL - 24 CY - Warszawa SP - 27 T1 - Prześwietleniowa mikroskopia elektronowa heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx = Transmission electron microscopy of heteroepitaxial layers of GaAs1-xPx UR - http://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/26978 ER -