TY - GEN N1 - 9-18 s. : il. 30 cm. L1 - http://rcin.org.pl/Content/42774/PDF/WA901_59736_M1_r2013-t41-z3_Mater-Elektron-Kozu_i.pdf M3 - Text J2 - Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 3 PY - 2013 IS - 3 EP - 18 KW - DLTS KW - defect centers KW - SiC A1 - Kozubal Michał A2 - Pawłowski Michał A2 - Mawłowski Marek A2 - Brzozowski Michał PB - ITME VL - 41 CY - Warszawa SP - 9 T1 - Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej = New measurement system for characterization of defect centers by capacitance transient spectroscopy method UR - http://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/42774 ER -