Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymywanych metodą EFG. Part 1. = Analysis of the defects occuring in the silicon structure on the base of EPG silicon ribbon observation. Part 1 - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymywanych metodą EFG. Part 1. = Analysis of the defects occuring in the silicon structure on the base of EPG silicon ribbon observation. Part 1

Download

Title: Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymywanych metodą EFG. Part 1. = Analysis of the defects occuring in the silicon structure on the base of EPG silicon ribbon observation. Part 1

Creator:

Ciszewski Bohdan

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1979 nr 1(25)

Contributor:

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 7-23 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 23

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:18438

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - materials Electronic - materials defect silicon ribbon EFG method

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jan 2, 2013

Number of object content downloads / hits:

2213

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/publication/11441

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Ciszewski Bohdan, Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymywanych metodą EFG	Oct 2, 2020

Objects Similar

Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymanych metodą EPG. Cz. II = An analysis of the defects occuring in silicon structure on the base of EPG silicon ribbon observation. Part II

Ciszewski Bohdan

1980

Text

Wzrost kryształów profilowanych z fazy ciekłej. Cz. II Krystalizacja taśm krzemowych metodą EFG = Growth of profile crystals from the melt. Part II: Crystallization of silicon ribbons by EFG method

Jakubicki Wojciech

1977

Text

Stan i perspektywy rozwoju metalurgii proszków = Condition and perspectives of the development of powder metallurgy

Ciszewski Bohdan

1990

Text

Materiały magnetyczne twarde, ich rozwój w wieku XX = Hard magnetic materials: development over XX century

Ciszewski Bohdan

1994

Text

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Jabłoński Ryszard

1986

Text

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus

Nowysz Karol

1985

Text

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals

Pawłowska Marta

1988

Text

Defekty struktury w kryształach ADP (NH4H2PO4) = Structure defects in ADP (NH4H2PO4) single crystals

Wieteska Krzysztof

1978

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information