Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44

Pobierz

Tytuł: Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44

Twórca:

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1983 nr 2(42)

Współtwórca:

Roszkiewicz Krzysztof ; Surma Barbara

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Miejsce wydania:

Opis:

s. 7-[27] : il. ; Bibliogr. s. [27]

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:7660

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne warstwa epitaksjalna rekombinacja promienista

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

11 lip 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

887

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl/publication/12303

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Gładysz Maria, Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1985

Tekst

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs

Kot Waldemar

1977

Tekst

Warstwy epitaksjalne GaAs1-xPx dla przyrządów świecących

Brzozowski Waldemar

1974

Tekst

Prześwietleniowa mikroskopia elektronowa heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx

Toruń Jędrzej

1978

Tekst

Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu

Wosik Jarosław

1986

Tekst

Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4)

Pawłowska Marta

1987

Tekst

Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny

Roszkiewicz Krzysztof

1981

Tekst

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej

Rupniewski Wojciech

1976

Tekst

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji