Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 3
Mirowska Aleksandra ; Hruban Andrzej ; Gładki Andrzej ; Strzelecka Stanisława
51-59 s. : il. ; Bibliogr. s. 58-59
ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
2 paź 2020
3 paź 2012
985
https://rcin.org.pl/publication/14692
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Orłowski Wacław, Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter | 2 paź 2020 |
Jurisch M.
Jabłoński Ryszard
Hruban Andrzej