Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień = Electron traps in silicon annealed under high pressure - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień = Electron traps in silicon annealed under high pressure

Download

Title: Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień = Electron traps in silicon annealed under high pressure

Creator:

Kamiński Paweł

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1996 T.24 nr 1

Contributor:

Kozłowski Roman ; Misiuk Andrzej

Publisher:

Place of publishing:

Description:

5-14 s. : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 13-14

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:15157

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials Electronic - journal - materials electron traps CZ-Si high pressure heat treatment

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Oct 12, 2012

Number of object content downloads / hits:

411

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/publication/14917

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kamiński Paweł, Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień	Oct 2, 2020

Objects Similar

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni = Determination of nitrogen concentration in Czochralski silicon crystals from the far infrared absorption spectra

Możdżonek Małgorzata

2007

Text

Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego = Studies of residual stress in Czochralski-grown crystals

Adamkiewicz Grażyna

1986

Text

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii

Kamiński Paweł

2010

Text

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well

Kamiński Paweł

2007

Text

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Kamiński, Paweł

1991

Text

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information