Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds

Download

Title: Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds

Creator:

Pawłowska Joanna

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 3

Contributor:

Bańkowska Anna

Publisher:

Place of publishing:

Description:

Bibliogr. s. 75 ; 63-75 s. : il. 24 cm.

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:7175

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials Electronic - journal - materials flats chemical etching AIIIBV materials

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jun 29, 2012

Number of object content downloads / hits:

1616

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/publication/16003

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Pawłowska Joanna, Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska.	Oct 2, 2020

Objects Similar

Badania nad otrzymywaniem materiałów scyntylacyjnych bogatych w TAL = Investigations of scintilating materials rich in thallium

Pawłowska Joanna

2005

Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Book/Chapter

Electronic Materials

2020

Book/Chapter

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014

Book/Chapter

Spis treści 2013 T. 41 nr 4 = Contents 2013 T.41 nr 4

2013

Book/Chapter

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition / Rafał Stankiewicz, Anna PiDatkowska.

Stankiewicz, Rafał.

2018.

Book/Chapter

No title

Book/Chapter

Spis treści 1990 nr 3(71) = Content 1990 nr 3(71)

1990

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information