Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii = Dynamics of active region self-heating in laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design - a comparison by time-resolved spectroscopy - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii = Dynamics of active region self-heating in laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design - a comparison by time-resolved spectroscopy

Download

Title: Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii = Dynamics of active region self-heating in laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design - a comparison by time-resolved spectroscopy

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4

Contributor:

Dąbrowska Elżbieta ; Teodorczyk Marian

Publisher:

Place of publishing:

Description:

Bibliogr. s. 58-59 ; 35-60 s. : il. 24 cm.

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:7483

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials Electronic - journal - materials laser diode heterostructure self-heating spectroscopy time-resolution power conversion efficiency

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jul 5, 2012

Number of object content downloads / hits:

494

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/publication/16020

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Maląg Andrzej, Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii	Oct 2, 2020

Objects Similar

Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy = High power laser diodes - design optimisation issues

Maląg Andrzej

2007

Text

Możliwości modyfikacji charakterystyk promieniowania laserów półprzewodnikowych przez superpozycję naprężeń w warstwie aktywnej = On the possibility of modification of semiconductor laser emission characteristics by strain superposition in active region

Maląg Andrzej

2002

Text

Towards improvement of beam quality of wide-stripe high-power laser diodes

Maląg Andrzej

2015

Text

Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn = Investigation of solder - induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn

Dąbrowska Elżbieta

2009

Text

Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm = The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band

Dąbrowska Elżbieta

2012

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wesołowski Marek

2007

Text

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Lenkiewicz D.

2007

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information