Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p = Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p = Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity

Download

Title: Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p = Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity

Creator:

Mirowska Aleksandra

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 1

Contributor:

Orłowski Wacław

Publisher:

Place of publishing:

Description:

17-32 s. : il. 30 cm. ; Bibliogr. s. 30-31

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:18068

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

GaSb doping Te Si Zn dopant concentration Cz method GDMS Electronic - materials Electronic - journal - materials

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Dec 10, 2012

Number of object content downloads / hits:

1713

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/publication/16469

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Mirowska Aleksandra, Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p	Oct 2, 2020

Objects Similar

Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3" zmodyfikowaną metodą Czochralskiego = Evaluation of growth conditions for 3" gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method

Mirowska Aleksandra

2012

Text

Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem = Homogenity of electrical paremeters of tellurium-doped gallium antimonide single crystals

Mirowska Aleksandra

2011

Text

Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą = Czochralskiego = Growth of gallium antimonide single crystals in <111> and <100) directions by Czochralski method

Mirowska Aleksandra

2009

Text

Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji = Modification of mechanical-chemical treatment technology of epi-ready GaSb substrates

Smoczyński, Dariusz

2014

Book/Chapter

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Dobiech Teresa

1982

Text

Monokryształy krzemu - ich własności oraz metody i urządzenia do ich wytwarzania = Silicon single crystals - properties, methods of crystalization and growing equipment

Jeske Witold

1974

Text

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu = Influence of carbon on semi-insulating GaAs crystals

Strzelecka Stanisława

1996

Text

More

Citation style:

ISO690 APA MLA Chicago

This page uses 'cookies'. More information