Tytuł:

Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-xCdxTe) za pomocą wykonanych fotodiod

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 3

Twórca:

Królicka Aleksandra

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

2011

Opis:

14-29 s. : il. 30 cm. ; Bibliogr. s. 29

Temat i słowa kluczowe:

Materiały elektroniczne ; Elektronika - czasopismo - materiały ; epitaksja ; fotodetektor ; MOCVD

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

39

Zeszyt:

3

Strona pocz.:

14

Strona końc.:

29

Typ zasobu:

Tekst

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty