Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych

Pobierz

Tytuł: Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych

Twórca:

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70)

Wydawca:

Wydaw. Przemysłowe WEMA

Miejsce wydania:

Opis:

12-25 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 25

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:11636

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały Si-GaAs MESFET układ scalony

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

27 sie 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

1567

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl/publication/26959

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Hruban Andrzej, Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową

Hruban Andrzej

2012

Tekst

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Tekst

Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs

Surma Barbara

1994

Tekst

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs

Strzelecka Stanisława

1992

Tekst

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami

Jabłoński Ryszard

1988

Tekst

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs

Wierzchowski Wojciech

1988

Tekst

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs

Pawłowska Marta

1988

Tekst

Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a

Pawłowski Michał

2006

Tekst

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji