Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS

Download

Title: Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS

Creator:

Pawłowski Michał

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 2

Contributor:

Suproniuk Marek

Publisher:

Place of publishing:

Description:

s. 17-27 : il. 30 cm

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:27920

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Institute of Electronic Materials Technology

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - materials Electronic - materials PITS defect center semi-insulating material model adequacy

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

May 20, 2013

Number of object content downloads / hits:

422

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/publication/46206

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Pawłowski Michał, Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS	Oct 2, 2020

Objects Similar

Zastosowanie procedury korelacyjnej z wieloimpulsowymi funkcjami wagowymi do dwuwymiarowej analizy widmowej w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Application of the correlation procedure with multipulse weighting functions to the two-dimensional spectral analysis in photoinduced transient spectroscopy PITS

Pawłowski Michał

2001

Text

Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a

Pawłowski, Michał

2006

Text

Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =

Pawłowski Michał

2004

Text

Dwuwymiarowość widm w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =Two-dimensional spectra in photoinduced transient spectroscopy

Pawłowski Michał

2000

Text

Zastosowanie transformacji Hough'a do analizy dwuwymiarowych widm PITS = Implantation of the hough transformation to the analysis of two-dimensional PITS spectra

Pawłowski Michał

2006

Text

Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów = The measurement circuit for defect centers investigation by the method of the deep levels transient capacitance spectroscopy

Lamperski Jan

1983

Text

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds

Kozłowski Roman

1998

Text

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers

Kozubal Michał

2010

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information