Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Download

Title: Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4

Contributor:

Strupiński Włodzimierz ; Rudziński Mariusz ; Gaca Jarosław

Publisher:

Place of publishing:

Description:

s. 48-57 : il. 30 cm

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:27956

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Institute of Electronic Materials Technology

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - materials Electronic - materials HRXRD heterostructure inteface GaN InGaN

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

May 21, 2013

Number of object content downloads / hits:

402

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/publication/46239

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Wójcik Marek, Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym	Oct 2, 2020

Objects Similar

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Lenkiewicz D.

2007

Text

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne = MOVPE deposition of III-V compounds. The main technological issues

Dumiszewska Ewa

2003

Text

Detektory promieniowania ultrafioletowego z GaN i AlGaN = Ultra violet detectors based on GaN and AlGaN

Zynek Jadwiga

2001

Text

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy

Caban Piotr

2008

Text

Ultraviolet-sensitive, visible-blind GaN detectors grown by MOCVD epitaxy

Korona Krzysztof

1997

Book/Chapter

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Kozubal Michał

2006

Text

Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis

Sadura Jolanta

2015

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information