Język metadanych
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Inny tytuł:Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 1
Twórca: Wydawca: Miejsce wydania: Data wydania/powstania: Opis: Typ obiektu: Temat i słowa kluczowe:defekty punktowe ; głębokie pułapki ; napromieniowanie elektronami ; SiC ; DLTS
Czasopismo/Seria/cykl: Tom: Zeszyt: Strona pocz.: Strona końc.: Typ zasobu: Szczegółowy typ zasobu: Format: Źródło:ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Język: Prawa:Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Zasady wykorzystania: Digitalizacja:Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Lokalizacja oryginału:Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Dofinansowane ze środków:Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
Dostęp: