Ultraviolet-sensitive, visible-blind GaN detectors grown by MOCVD epitaxy - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Ultraviolet-sensitive, visible-blind GaN detectors grown by MOCVD epitaxy

Pobierz

Tytuł: Ultraviolet-sensitive, visible-blind GaN detectors grown by MOCVD epitaxy

Twórca:

Korona Krzysztof

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

MST News Poland 4(8)/1997

Wydawca:

Institute of Electronic Materials Technology

Miejsce wydania:

Opis:

s. 6. : il. 30 cm ; Bibliogr. s.6

Typ obiektu:

Książka/Rozdział

Czasopismo/Seria/cykl:

MST News Poland

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:38992

Źródło:

ITME, sygn. ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

fotodetektor UV GaN MOCVD

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

27 sty 2014

Liczba pobrań / odtworzeń:

444

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl/publication/55850

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

ARTYKUŁY

Nazwa wydania	Data
Korona Krzysztof, Ultraviolet-sensitive, visible-blind GaN detectors grown by MOCVD epitaxy	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Detektory promieniowania ultrafioletowego z GaN i AlGaN

Zynek Jadwiga

2001

Tekst

Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne

Dumiszewska Ewa

2003

Tekst

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych

Kamiński Paweł

2011

Tekst

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych

Lenkiewicz D.

2007

Tekst

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym

Wójcik Marek

2012

Tekst

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN

Caban Piotr

2008

Tekst

Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis

Sadura Jolanta

2015

Tekst

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Kozubal Michał

2006

Tekst

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji