Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji = Modification of mechanical-chemical treatment technology of epi-ready GaSb substrates - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji = Modification of mechanical-chemical treatment technology of epi-ready GaSb substrates

Download

Title: Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji = Modification of mechanical-chemical treatment technology of epi-ready GaSb substrates

Creator:

Smoczyński, Dariusz

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Electronic Materials T. 42 Nr 2

Publisher:

Place of publishing:

Description:

Bibliogr. s.: 12 ; 5.: 5-12 il., 30 cm.

Type of object:

References:

s.: 12

Relation:

Electronic Materials T. 42 Nr 2 2014

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:53413

Source:

click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

GaSb mechanical - chemical treatment roughness oxidation epitaxy

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Apr 17, 2015

Number of object content downloads / hits:

699

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/publication/72823

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Smoczyński Dariusz, Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji	Oct 2, 2020

Objects Similar

Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p = Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity

Mirowska Aleksandra

2010

Text

Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3" zmodyfikowaną metodą Czochralskiego = Evaluation of growth conditions for 3" gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method

Mirowska Aleksandra

2012

Text

Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem = Homogenity of electrical paremeters of tellurium-doped gallium antimonide single crystals

Mirowska Aleksandra

2011

Text

Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą = Czochralskiego = Growth of gallium antimonide single crystals in <111> and <100) directions by Czochralski method

Mirowska Aleksandra

2009

Text

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi = Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray technoques

Sakowska Halina

2012

Text

Silicon for MST applications

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1996

Book/Chapter

InP nanowires for photovoltaic applications

Dumiszewska Ewa

2015

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information