Institute of Electronic Materials Technology

Resource type
- Text (35)
Collections
- Electronic Materials (29)
- ITME works (6)
File type
- application/pdf (35)
Content format
- PDF (35)
Object availability
- Available (35)
Date issued/created A date associated with an event in the life cycle of the resource
Access
- Open (35)

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 2 Next

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Milwidskij M.G.

1976

Text

Spis treści 1976 nr 3(15) = Contents 1976 nr 3(15)

1976

Text

Polikrystaliczna ceramika korundowa = Polycrystalline alumina ceramic

Radziszewska-Kępka Ewa

1976

Text

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

Badanie układu 4,4' dwuheksyloksyazoksybenzen - 4,4' azoksyanizol metodą termicznej analizy różnicowej = Investigation of 4,4' - dihexyloxyazaxybenzene - 4,4' - azoxyanisole system by by differential thermal analysis

Pyżuk Wiesław

1976

Text

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976

Text

Zastosowanie w elektronice tlenku glinu odzyskanego ze szlamów powstałych przy trawieniu folii aluminiowej = Application in electronic the alumina producted from slime standing up from ofter-etching aluminum fail

Rutkowska Halina

1976

Text

Obudowa światłowodowa półprzewodnikowego wskaźnika cyfrowego = Light guide package for semiconductor numeric display

Nowacki Janusz

1976

Text

Badanie wpływu miedzi na zmiane współczynnika liniowej rozszerzalności cieplnej spieku W-Cu = Copper influence on the linear thermal expansion coefficient changes of the W-Cu sinter

Lejbrandt Marek

1976

Text

Metody ujawniania, klasyfikacja i ocena struktury defektów typu SWIRLS w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu, otrzymywanych metodą beztyglowego topienia strefowego = The methods of revealing, clasification and "swirls" defects in the dislocation free float-zone silicon crystals

Jeske Witlod

1976

Text

Spis treści 1976 nr 1(13) = Contents 1976 nr 1(13)

1976

Text

Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem = Research in receiving of homogeneous silicon monocrystals strong doped with antimony

Bukowski Andrzej

1976

Text

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Świderski Jarosław

1976

Text

Badanie możliwości otrzymywania monokryształów tlenków żelaza i niklu metodą transportu materiału w łuku elektrycznym prądu stałego = Research in receiving of ferric and nickel oxide by the method of material transport in d.c. electric arc.

Gwelesjani G.G.

1976

Text

Badania półprzewodnikowych roztworów stałych za pomocą sond elektronowych i jonowych = Research in semiconductor dolid solutions by means of electron and ion probes

Fistul, W.I

1976

Text

Zdejmowanie cienkich warstw z płytek krzemowych metodą utleniania anodowego i rozpuszczania utworzonego tlenku = Removal of thin layers from silicon wafersby means of an anodic oxidation and dissolution of the oxides formed

Jaskólska Halina

1976

Text

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs = Determination of internal quantum efficiency of radiative recombination in GaAs single crystals from photoluminescence measurements of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructures

Bugajski Maciej Jagoda Andrzej Szymański Leszek

1976

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rupniewski Wojciech

1976

Text

Badania mikrostruktury półprzewodnikowych materiałów tlenkowych = Investigation of microstructure semiconductor oxides

Petrović W.J

1976

Text

Zjawiska dyfuzyjne w granicznych warstwach połączeń ceramika-metal w aspekcie potymalizacji technologii

Włosiński Władysław

1976

Text

Badanie kinetyki odwęglania stopu FeNi29Co17 /kowar/ w środowisku gazowym H2 + H2O. Cz. II.: Badania wpływu różnych punktów rosy środowiska gazowego H2 + H2O na przebieg procesu odwęglania stopu FeNi29Co17. Part 1 = The study of decarborization of FeNi29Co17 stop in H2+H2O atmosphere. Part II. Study of the influence of different dew-joints of H2+H20 gas mixture on the dicarbonization process of FeNi29Cd7 alloy

Małecki Jerzy

1976

Text

Badanie kinetyki odwęglania stopu FeNi29Co17 /kowar/ w środowisku gazowym H2 + H2O. Cz. 1.: Badania nad szybkością dyfuzji węgla w stopie FeNi29Co17 = The study of decarborization of FeNi29Co17 stop in H2+H2O atmosphere. Part 1. Studies on the carbon diffusion rate in the FeNi29Co17 alloy

Małecki Jerzy

1976

Text

Spiekane podkładki kompensacyjne WNiCu do tyrystorów małej mocy = Sintered compensating WniCu pads for low-power thyristors

Lejbrandt Marek

1976

Text

Spiekanie aktywowane molibdenu = Molybdenum activated sintering

Lejbrandt Marek

1976

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

1
2
of
2

This page uses 'cookies'. More information