Institute of Electronic Materials Technology

Resource type
- Text (4)
Collections
- Electronic Materials (4)
File type
- application/pdf (4)
Content format
- PDF (4)
Object availability
- Available (4)
Date issued/created A date associated with an event in the life cycle of the resource
Access
- Open (4)

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 1

Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów = Compensation ratio determination for Si:P based on electron concentration temperature dependence

Kot Waldemar

1985

Text

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus

Nowysz Karol

1985

Text

Układ polaryskopu optycznego do bdań naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = Plane polariscope for photoelastic measurement of semiconductors

Adamkiewicz, Grażyna

1985

Text

Sposób wyznaczania rezystywności materiałów stykowych na próbkach w kształcie krążków = Procedure of resistivity assigning of contact materials on samples in form of cicrular plates

Chylińska Maria

1985

Text

1
of
1

This page uses 'cookies'. More information