﻿[PL] ---------------------------------------------------------------------------
Tytuł: 
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 3/4
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 3/4

Główny plik publikacji: 
${mainFile}

Prosimy rozpocząć przeglądanie publikacji od jej pliku głównego.

W kwestii dalszego wykorzystania pobranej publikacji należy kontaktować się
z biblioteką cyfrową, z której plik został pobrany. Na stronach WWW z opisem 
tej publikacji powinny znajdować się dokładniejsze informacje 
dotyczące praw autorskich.

Ten plik zakodowany jest w standardzie UTF-8.
[EN] ---------------------------------------------------------------------------
Title:
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 3/4
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 3/4

Publication main file:
${mainFile}

Please start viewing the publication from its main file.

For further reuse of this publication please contact the digtial library 
from which the file was downloaded. On the website with the publication 
description you should be able to find more detailed information regarding 
the intellectual property rights.

This file is encoded in UTF-8 standard.
 ------------------------------------------------------------------------------
Generated automatically by dLibra Digital Library Framework.
- See http://dlibra.psnc.pl/ for more details.

