@misc{Brzozowski_Waldemar_Badania_1973,
 author={Brzozowski Waldemar},
 number={1},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 journal={Electronic Materials},
 address={Warsaw},
 howpublished={online},
 year={1973},
 publisher={Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"},
 language={pol},
 title={Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2},
 type={Text},
 URL={http://rcin.org.pl/itme/Content/541/PDF/WA901_9719_M1_r1973-z1_Mater-Elektron-Brzo_i.pdf},
 keywords={Electronic- materials, Electronic - journal - materials, GaAs, CVD, homoepitaxy},
}