Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer
en
pl
en
pl
Contrast
Login
en
pl
en
pl
Login
Contrast
Back
About project
About project
Mission
Partners and organization
Projects
Technical information
FAQ
Copyrights
Regulations
Preservation and archive policy
Privacy policy
Declaration of accessibility
Contact
Collections
Collections
Electronic Materials
ITME works
Doctoral and postdoctoral dissertations
Articles
Books
Indexes
Indexes
Title
Subtitle
Creator
Contributor
Publisher
Place of publishing
Date issued/created
Date on-line publ.
Date copyrighted
Date available
Description
Thesis degree information
Degree name
Level of degree
Degree discipline
Degree grantor
Subject and Keywords
Abstract
References
Relation
Citation
Volume
Issue
Start page
End page
Resource type
Format
Resource Identifier
Source
Language
Language of abstract
Coverage
Spatial coverage
Temporal coverage
Rights
Terms of use
Copyright holder
Digitizing institution
Original in
Projects co-financed by
Tags
Recently viewed
Recently viewed
Objects
Collections
RCIN Repositories
RCIN Repositories
INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK
INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK
INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA
INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK
INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK
INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN
INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN
INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN
INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN
INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK
INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK
INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN
INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK
INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN
INSTYTUT SLAWISTYKI PAN
SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH
MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK
INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN
INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK
Search field
How to search...
Advanced search
MAIN PAGE
|
Indexes
Index:
Title
Results:
1316
Title
Choose first letter
all
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
R
S
T
U
V
W
X
Z
Search in field Title
of
22
Next
15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
A constribution to the sonsideration of the synthesis of compounds by the reaction sintering of Oxide powders = Niektóre aspekty reakcji składników w procesie spiekania sproszkowanych tlenków
A helical-coil resonator magnetically coupled with microstrip transmission line for EPR spectroscopy = Rezonator helikalny sprzężony magnetycznie z linią mikropaskową do zastosowań w spektroskopii EPR
A method for correction of elastic and piezoelectric constants of crystals using measured surface acoustic wave parameters = Metoda korekcji stałych elastycznych i piezoelektrycznych kryształów z wykorzystaniem zmierzonych parametrów akustycznych fal powierzchniowych
Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis
Active fluoride glasses
Akustyczne mody płytowe w płytkach z kryształu GaN wyciętych prostopadle do osi krystalograficznej Z
Al2O3-ZrO composite reinforced with graphene plateles
Alumina-FeNi42 foil and AgCuTiIn alloy joints and their high thermal shock resistance = Odporność na wstrząsy cieplne złącza ceramika-metal alundowa - FeNi42 oraz wtopu AgCuTiIn
Amorficzny krzem w mikroelektronice = Amorphous silicon in microelectronics
Amorphous chalcogenide semiconductors for solid state dosimetric systems of high-energetic ionizing radiation = Chalkogenkowe półprzewodniki amorficzne do systemów dozymetrycznych wysokoenergetycznego promieniowania jonizującego na podstawie ciał stałych
Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS
Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymanych metodą EPG. Cz. II = An analysis of the defects occuring in silicon structure on the base of EPG silicon ribbon observation. Part II
Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymywanych metodą EFG. Part 1. = Analysis of the defects occuring in the silicon structure on the base of EPG silicon ribbon observation. Part 1
Analiza i optymalizacja mikrofalowych wzmacniaczy kwantowych = Analysis and optimization of microwave quantum amplifiers
Analiza metod badawczych materiałów proszkowanych stosowanych w technice elektronowej = Analysis of experimental method characterizing powder materials used in electronic technology
Analiza metod badawczych materiałów proszkowanych stosowanych w technice elektronowej = The measurements of surface acoustic wave properties in LiNbO3
Analiza możliwości wykorzystania szkieł wieloskładnikowych do wytwarzania światłowodów do przesyłania promieniowania z zakresu średniej podczerwieni = The possibility of application of multicomponent glasses for MID infrared (2-3,5 micrometer) waveguide manufacturing
Analiza możliwości zastosowania wysokorozdzielczej dyfraktomaterii rentgenowskiej do badań parametrów strukturalnych warstw epitaksjalnych i supersieci = The possibility of application of high resolution x-ray diffraction for determination the structural parameters of epilayers and superlattices
Analiza platyny i rodu za pomocą spektrometru masowego = Analysis of platinum and rhodium using a mass spectrometer
Analiza profilu rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego w przypadku jednowymiarowej modulacji składu chemicznego. Praca doktorska = Analysis of the X-ray diffraction pattern profile in the case of one-dimensional modulation of the chemical composition
Analiza rentgenowskiego widma periodycznej supersieci = Analysis of the X-ray intensity spectrum for the periode superlattice
Analiza śladowa związków metaloorganicznych wysokiej czystości dla epitaksji = Trace analysis of high purity organo-metallic compounds for epitaxy
Analiza stanów naprężeń w procesach ciągnienia i hydrostatycznego wyciskania drutu = An analysis of the state of stresses in drawing and hydrostatic extrusion processes
Analiza termiczna ałunu (NH4)2SO4 - Al2(SO4)3 - 24H2O = Thermal analysis of alum /NH4/2SO4/ - 24H2O3
Analiza termiczna procesów krystalizacji szkieł kordierytowych = Thermal analysis of crystallization process in cordierite glasses
Analiza termodynamiczna utleniania metalui trudnotopliwych i reducji ich tlenków = Thermodynamical analysis of oxidation of refractory metals and reduction of their oxides
Analiza wolframu i tantalu za pomocą spektrografu masowego ze wzbudzeniem iskrowym = Analysis of tungsten and tantalum using a mass spectrometer with spark excitation
Analiza właściwości dwuwiązkowego interferometru siatkowego z laserem półprzewodnikowym. = Analysis of the properties of double - beam grating interferometer with semiconductor laser
Analiza własności mechanicznych materiałów ceramicznych metodami mechaniki pękania = Fracture mechanics analysis of mechanical properties of ceramic materials
Analiza zjawisk zachodzących w kompozytowych materiałach stykowych w łuku elektrycznym = Analysis of the phenomena occuring in composite contact materials in electric arc
Analiza zjawiska wtórnego spiekania kompozytowych materiałów stykowych typu metal-metal w łuku elektrycznym = Analysis of secondary sintering phenomena of composite contact materials metal-metal type in the electric arc
Analysis blind microvias forming process in multilayer printed circuit boards = Analiza procesu formowania mikrootworów nieprzelotowych w wielowarstwowych płytkach obwodów drukowanych
Analysis of crystal lattice deformation in the vicinity of dislocation
Aparatura do badan właściwości cieplnych materiałów = Apparatus and research problems concerning investigations of material thermal properties
Arsenek galu : z doświadczeniem ku przyszłości = Gallium arsenide: with experience towards future
Assembly and solidering problems in Leadfree through hole reflow technique = Problemy montażowe i lutownicze w bezołowiowej technice lutowania rozpływowego elementów przewlekanych
Automatyczny zestaw pomiarowy dla określania oporności właściwej metodą rozpływu oporności = Automatic measuring system for resistance determining by the spreading resistance method
Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP = Silicon nitride for InP based planar photodiode applications
B-BaB2O4 single crystals obtained by Czochralski method
Badania absorpcji w kryształach niobanu litu domieszkowanego erbem = The absorption spectra of Er3+ doped LiNbO3 single crystals
Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottky'ego = The investigation of defect centor by measuring of thermal or optical stimulated currents and capacitance of p-n junctions and Schottky barriers
Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm = The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band
Badania dla uzyskania wolframu o wysokiej gęstości = Hot isostatic pressing of tungsten
Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection
Badania eksperymentalne dyfuzji i termofyfuzji srebra w Al2O3 = Experimental studies of diffusion and thermodiffusion of silver into Al2O3
Badania elipsometryczne krzemu implantowanego fosforem = Ellipsometric studies of P+ implanted silicon
Badania emisji akustycznej przy zginaniu trójpunktowym gęstych, drobnoziarnistych tworzyw ceramicznych = Acoustic emission of dense ceramic materials by three - point bending
Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum
Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy
Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą skaningowej i prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers of GaAs1-x Px/GaAs by means of scanning and transmission electron microscopy
Badania metodami rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej defektów strukturalnych monokryształów Y2Al5O12 silnie domieszkowanych neodymem = The investigation of structural defects in the heavily Nd - doped YAG crystals by means of \\x-ray diffraction topography
Badania mikrostruktury półprzewodnikowych materiałów tlenkowych = Investigation of microstructure semiconductor oxides
Badania modelowe morfologii mieszanin proszków Ag-C uzyskanych w procesie mechanicznej syntezy = Modelling investigation of morphology for Ag-C powders mixtures created by mechanical alloying process
Badania nad mechanicznym i chemicznym pocienianiem termicznie połączonych płytek krzemowych = The investigation of the mechanical and chemical thinning of silicon bonded wafers
Badania nad optymalizacją procesów technologicznych = Investigation of technologic processes optimization
Badania nad otrzymywaniem materiałów scyntylacyjnych bogatych w TAL = Investigations of scintilating materials rich in thallium
Badania nad otrzymywaniem porowatego szkieletu wolframowego metodą spiekania aktywowanego = Investigation porous tungsten structure obtaining by means of the activated sintering method
Badania nad otrzymywaniem tytanianów metali dwuwartościowych w postaci proszków ceramicznych o wysokiej czystości idyspersji = Investigations of obtaining of bivalent metals titanates in the form of high purity and dispersion ceramic powders
Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2
1
2
of
22
Next
This page uses 'cookies'.
More information
I understand