Institute of Electronic Materials Technology

Resource type
- Text (848)
Collections
- Electronic Materials (846)
- ITME works (2)
Type of object
- Book/Chapter (65)
File type
- application/pdf (848)
Content format
- PDF (848)
Object availability
- Available (848)
Date issued/created A date associated with an event in the life cycle of the resource
Access
- Open (848)

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

Prev of 34 Next

Badanie układu 4,4' dwuheksyloksyazoksybenzen - 4,4' azoksyanizol metodą termicznej analizy różnicowej = Investigation of 4,4' - dihexyloxyazaxybenzene - 4,4' - azoxyanisole system by by differential thermal analysis

Pyżuk Wiesław

1976

Text

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976

Text

Prof. Witold Rosiński - nestor polskiej elektroniki sam o sobie

Rosiński Witold

2008

Text

Nowa kompozycja zalewowa do elementów mikroelektronicznych = A new casting composition for the electronic components

Nowacki Janusz

1974

Text

Pojemność różniczkowa granicy fazowej półprzewodnik - roztwór elektrolitu = Differential capacity of the semiconductor-electrolyte phase interface

Jackowska Krystyna

1974

Text

Skład izotopowy siarki zawartej w źródłach mineralnych = Isotopic composition of sulphur included in mineral sources

Szaran Janina

1974

Text

Przekroje czynne na jonizację elektronami niektórych związków siarki = Active cross-sections for ionization by electrons of some sulphur compounds

Żuk Włodzimierz

1974

Text

Zastosowanie badań izotopowych do wyznaczania wieku bezwzględnego pokładów geologicznych = Isotopic investigations in determination of geological layers absolute age

Zinkiewicz Janusz M.

1974

Text

Obudowy hermetyczne o niskim koszcie wytwarzania do układów mikroelektroniki = Hermetic envelopes of low production cost for integrated microcircuits

Maliszewski Bogdan

1974

Text

Tworzywa szklano-krystaliczne na płytki podłożowe do układów mikroelektronicznych

Gołajewski Zygmunt

1974

Text

Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si = Application of transmission X-ray topography in the non-parallel system of biocrystal spectrometer for homoepitaxial Si layers investigations

Sass Jerzy

1974

Text

Zastosowanie w elektronice tlenku glinu odzyskanego ze szlamów powstałych przy trawieniu folii aluminiowej = Application in electronic the alumina producted from slime standing up from ofter-etching aluminum fail

Rutkowska Halina

1976

Text

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs = Determination of electrical properties for epitaxial GaAs1-P on the GaAs substrates

Kot Waldemar

1977

Text

Obudowa światłowodowa półprzewodnikowego wskaźnika cyfrowego = Light guide package for semiconductor numeric display

Nowacki Janusz

1976

Text

Badanie wpływu miedzi na zmiane współczynnika liniowej rozszerzalności cieplnej spieku W-Cu = Copper influence on the linear thermal expansion coefficient changes of the W-Cu sinter

Lejbrandt Marek

1976

Text

Metody ujawniania, klasyfikacja i ocena struktury defektów typu SWIRLS w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu, otrzymywanych metodą beztyglowego topienia strefowego = The methods of revealing, clasification and "swirls" defects in the dislocation free float-zone silicon crystals

Jeske Witlod

1976

Text

Joining heatsink composite materials to ceramics

Pietrzak Katarzyna

2002

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1991 nr 2(74)

1991

Text

Wpływ udziału rozproszonej fazy metalicznej na własności termomechaniczne tworzywa korundowego = Influence of metallic dispersed phase content on thermomechanical properties of alumina ceramics

Tomaszewski Henryk

1990

Text

Badanie efektu piroelektrycznego płytek niobianu litu o różnej orientacji = Study of pyroelectrical effect for LiNbO3 plates of different orientation

Pracka Izabela

1990

Text

Otrzymywanie miedzi wysokiej czystości = Production of high purity cooper

Bliźniak Hanna

1990

Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Spis treści 1990 nr 3(71) = Content 1990 nr 3(71)

1990

Text

Układy scalone z arsenku galu = GaAs integrated circuits

Marciniak Wiesław

1990

Text

Konstruktcja i technologia tranzystora MESFET = Design and manufacturing of MESFET transistor

Dobrzański Lech

1990

Text

1
2
3
of
34

This page uses 'cookies'. More information