Institute of Electronic Materials Technology

Resource type
- Text (8)
Collections
- Electronic Materials (8)
File type
- application/pdf (8)
Content format
- PDF (8)
Object availability
- Available (8)
Date issued/created A date associated with an event in the life cycle of the resource
Access
- Open (8)

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 1

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Jasik Agata

1997

Text

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Text

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy

Jasik Agata

1998

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Wójcik Marek

2012

Text

Rozwinięcie i zastosowanie darwinowskiej teorii dyfrakcji promieni rentgenowskich do określania struktury i składu chemicznego kryształów wielowarstwowych = Development and application of Darwin x-ray diffraction theory for structure and chemical composition determination in multilayered crystals

Wójcik Marek

2000

Text

InP nanowires for photovoltaic applications

Dumiszewska Ewa

2015

Text

Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper = Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi

Pasternak Iwona

2013

Text

1
of
1

This page uses 'cookies'. More information