Institute of Electronic Materials Technology

Resource type
- Text (28)
Collections
- Electronic Materials (18)
- ITME works (10)
File type
- application/pdf (28)
Content format
- PDF (28)
Object availability
- Available (28)
Date issued/created A date associated with an event in the life cycle of the resource
Access
- Open (28)

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 2 Next

Badania nad syntezą i właściwościami TiW2Se4 = Investigation of synthesis and properties of TiW2Se4

Cybulski Zygmunt

1978

Text

Zależność stycznej przenikalności elektrycznej od kąta między kierunkami uporządkowania nematyka, a wektorem nat ezenia pola elektrycznego = Dependence of static permittivity on the angle between the direction of nematic and the vector of electric field

Baran J.W.

1978

Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

Spis treści 1978 nr 1(21) = Contents 1978 nr 1(21)

1978

Text

Defekty struktury w kryształach ADP (NH4H2PO4) = Structure defects in ADP (NH4H2PO4) single crystals

Wieteska Krzysztof

1978

Text

Węgiel szklisty - nowa postać węgla do zastosowań przemysłowych = Viteous carbon - a new form of carbon for industrial applications

Tomaszewski Henryk

1978

Text

Techniki i materiały stosowane w budowie ogniw słonecznych = Techniques and materials used in production of solar cells

Jakubicki Wojciech

1978

Text

Oznaczanie stopnia czystości POCl3 i SbCl3 metodami kriometrycznymi = Determination degree of purity POCl3 and SbCl3 by cryometrics methods

Radomski Janusz

1978

Text

Tellurek kadmu jako materiał do wytwarzania detektorów promieniowania jądrowego = Cadmium telluride as a material for nuclear detectors preparation

Piga Witold

1978

Text

Prześwietleniowa mikroskopia elektronowa heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx = Transmission electron microscopy of heteroepitaxial layers of GaAs1-xPx

Toruń Jędrzej

1978

Text

Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4 = Quantitative determination of trichlorosilane in technical purity tetrachlorosilane by proton magnetic resonance method

Drożdż Elżbieta

1978

Text

Zastosowanie statystycznych metod planowania doświadczeń ekstremalnych w spektralnej analizie emisyjnej = Application of statistical methods design of experiments in emission spectroscopy

Sokołowska Wanda

1978

Text

Spis treści 1978 nr 4(24) = Contents 1978 nr 4(24)

1978

Text

Wpływ niektórych czynników technologicznych na przyczepność warstw metalicznych = The influence of some technological factors on the adhesion of metallic layers

Boniecki Marek

1978

Text

Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottky'ego = The investigation of defect centor by measuring of thermal or optical stimulated currents and capacitance of p-n junctions and Schottky barriers

Kamiński Paweł

1978

Text

Zastosowanie metody karbaminianowej do oznaczania śladowych ilości arsenu w trójchlorku fosforu, tlenochlorku fosforu i trójtlenku boru do celów półprzewodnikowych = The application of carbamate method for determination of trace amounts of arsenic in PCl3, POCl3 and B2O3 for semiconductor technology

Witkowska Janina

1978

Text

Wpływ warunków polerowania na chropowatość powierzchni płytek krzemowych = Influence of polishing condictins on surface roughness of silicon wafers

Czerwińska Anna

1978

Text

Niektóre problemy poprawy parametrów geometrycznych polerowanych płytek krzemowych = Some problems of improvement of geometrical parameters of polished silicon wafers

Piątkowski Bronisław

1978

Text

Własności i zachowanie się warstw niklowych w złączach ceramika-metal = Properties and behavior of nickel layers in ceramic-metal joints

Muszkat Wacław

1978

Text

Badanie wpływu warunków łączenia ceramiki korundowej z metalem na kinetykę tworzenia się warstwy spinelowej = Investigations of influence of bonding condition of Al2O3 ceramic with metal on the kinetic of spinel layer for formation

Cuber Wanda

1978

Text

Stosowanie i regeneracja rozpuszczalników w przemyśle elektronicznym + Use and solvents reqeneration in electronics industry

Jaworska Hanna

1978

Text

Warunki generacji promieniowania w cynkowych warstwach dyfuzyjnych z arsenku galu = The conditions of radiation generation in gallium arsenide with differee layer

Pietras Edward

1978

Text

Krzemowe warstwy homoepitaksjalne = Homoepitaxial silicon layers

Korec Jacek

1978

Text

Nowe metody technologii ceramicznej = A new method of ceramic technology

Tomaszewski Henryk

1978

Text

Spis treści 1978 nr 2(22) = Contents 1978 nr 2(22)

1978

Text

1
2
of
2

This page uses 'cookies'. More information