Institute of Electronic Materials Technology

Resource type
- Text (25)
Collections
- Electronic Materials (23)
- ITME works (2)
File type
- application/pdf (25)
Content format
- PDF (25)
Object availability
- Available (25)
Date issued/created A date associated with an event in the life cycle of the resource
Access
- Open (25)

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 1

The influence of active element additions for the interface between carbon fibre-copper composities

Pietrzak Katarzyna

1995

Text

Metalizacja dwupoziomowa w monolitycznym mikrofalowym ukadzie scalonym = Two-layer metallization for monolitic microwave solid state structures

Łukasiewicz Teresa

1995

Text

Wpływ zanieczyszczeń metalicznych na profil sygnału EBIC w krzemowych strukturach epitaksjalnych = Influence of metalic contaminations on EBIC signal profiles in silicon epilayers

Pawłowska Marta

1995

Text

Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem= Deep-level defects in Fe-contaminated epitaxial silicon

Plewa Dariusz

1995

Text

Spis treści 1995 T.23 nr 1 = Contents 1995 T.23 nr 1

1995

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1995 T.23 nr 4 = ITME employees participation in conference 1995 T.23 nr 4

1995

Text

Badania absorpcji w kryształach niobanu litu domieszkowanego erbem = The absorption spectra of Er3+ doped LiNbO3 single crystals

Pracka Izabela

1995

Text

Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji = Generation of dislocation slips in Si wafers during epitaxial process

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1995

Text

Technologia podłoży kwarcowych do rezonatorów i filtrów z akustyczną fala powierzchniową = Technology of quartz substrates for SAW resonators and filters

Hofman Władysław

1995

Text

Spis treści 1995 T.23 nr 4 = Contents 1995 T.23 nr 4

1995

Text

Wpływ miedzi na złącza międzyfazowe srebro-nikiel

Wehr Anna

1995

Text

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Palczewska Maria

1995

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1995 T.23 nr 3

Udział pracowników ITME w konferencjach /

1995

Text

Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter

Orłowski, Wacław

1995

Text

Epitaksja krzemu na krzemie porowatym = Silicon epitaxy over porous silicon

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1995

Text

Formowanie warstwy ftalocyjaninu miedzi do sensorów czułych na NO2 = Forming of copper phthalocyanine films for NO2

Hechner Judyta

1995

Text

Zastosowanie implantacji jonów do modyfikacji właściwości technicznej warstwy wierzchniej metali

Rosiński Witold

1995

Text

Spis treści 1995 T.23 nr 3 = Contents 1995 T.23 nr 3

1995

Text

Badania właściwości substancji stosowanych do wytłumiania filtrów z akustyczną falą powierzchniową = Investigation of properties of materials applied for spurious signals suppresion in surface acoustic wave filters

Niewczas Bogumiła

1995

Text

Wpływ warunków hydrotermalnej krystalizacji na morfologię ziaren tlenku itru = Effect of hydrothermal crystallization conditions on morphology of yttria grains

Tomaszewski Henryk

1995

Text

Numeryczne metody określania parametrów cienkich warstw magnetycznych granatów = The method of calculation of magnetic anisotropy constants in YIG layer

Jabłoński Ryszard

1995

Text

Aparatura do badan właściwości cieplnych materiałów = Apparatus and research problems concerning investigations of material thermal properties

Buda Marian J.

1995

Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995

Text

Spis treści 1995 T.23 nr 2 = Contents 1995 T.23 nr 2

1995

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1995 T.23 nr 1 = ITME employees participation in conference

1995

Text

1
of
1

This page uses 'cookies'. More information