Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 3 Next

Układy scalone z arsenku galu = GaAs integrated circuits

Marciniak Wiesław

1990

Text

Arsenek galu : z doświadczeniem ku przyszłości = Gallium arsenide: with experience towards future

Rosiński Witold

1990

Text

MMIC'S on gallium arsenide developed in the Institute of Electronic Materials Technology

Dobrzański Lech

1992

Text

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Milwidskij M.G.

1976

Text

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET = GaAs diagnostics for MESFET's

Kot Waldemar

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals

Pawłowska Marta

1988

Text

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 1 =

Nishizawa Jun-ichi

1996

Text

Impulsowe wygrzewanie implantowanego arsenku galu = Rapid thermal annealing of imolanted galium arsenide

Rosiński Witold

1996

Text

Siła piezotermoelektryczna w arsenku galu typu p = The piezothermoelectric force in the gallium arsenide type p

Swiridow Iwan

1973

Text

Wpływ wyjściowego arsenku galu na moc promieniowania dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych = The influence of initial gallium arsenide parameters on power emitted by light-emitting diodes

Kowalski Jerzy

1975

Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2

Brzozowski Waldemar

1973

Book/Chapter

Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates

Hruban Andrzej

2013

Text

Problemy związane z jakością arsenku galu w technologii dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych

Pietras Edward

1977

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1992 nr 1(77) = ITME employees participationin conferences 1992 nr 1(77)

1992

Text

Badania wysokooporowego arsenku galu = Investigations of high-resistivity gallium arsenide

Nowysz Karol

1973

Text

Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE = Optimalization of doping profile in GaAs epilayers obtained by MOVPE and HVPE methods

Strupiński Włodzimierz

1993

Text

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu = Influence of carbon on semi-insulating GaAs crystals

Strzelecka Stanisława

1996

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą skaningowej i prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers of GaAs1-x Px/GaAs by means of scanning and transmission electron microscopy

Drabik Wojciech

1983

Text

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs = Determination of internal quantum efficiency of radiative recombination in GaAs single crystals from photoluminescence measurements of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructures

Bugajski Maciej Jagoda Andrzej Szymański Leszek

1976

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rupniewski Wojciech

1976

Text

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Drabik Wojciech

1983

Text

Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji = The investigation of low dislocation GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1990

Text

1
2
of
3

This page uses 'cookies'. More information