Institute of Electronic Materials Technology

Resource type
- Text (10)
Collections
- Electronic Materials (9)
- ITME works (1)
File type
- application/pdf (10)
Content format
- PDF (10)
Object availability
- Available (10)
Date issued/created A date associated with an event in the life cycle of the resource
Access
- Open (10)

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 1

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties

Strupiński Włodzimierz

1985

Text

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Strzelecka, Stanisława

2006

Text

Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej = The production of thin GaP lauers by vapour phase epitaxy

Strupiński Włodzimierz

1988

Text

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Text

Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni = Determination of carbon concentration in GaP single crystals from absorption spectra in infrared range

Strzelecka Stanisława

2007

Text

Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowancy kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC

Surma Barbara

2009

Text

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni = Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisław

2009

Text

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds

Dumiszewska Ewa

2011

Text

Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP = Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisława

2009

Text

Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction

Orłowski Wacław

2010

Text

1
of
1

This page uses 'cookies'. More information