Institute of Electronic Materials Technology

Zastosowanie formuły Robertsona do wyznaczania wielkości naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = The use of Robertson's formula for the evaluation of stress in semiconductor materials

Bajor Andrzej

1987

Text

Monokryształy YAG : Cr4+ do pasywnej modulacji dobroci rezonatora lasera YAG : Nd3+ = YAG:Cr4+ crystals as passive q-switches for YAG:Nd3+ laser

Mierczyk Zygmunt

1996

Text

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Otto Elżbieta

1981

Text

Thermal residual stress state in laser diode/heatsink joint systems depending on the properties of the heatsink material. FEM analysis

Kaliński Dariusz

2002

Text

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Pietras Edward

1973

Book/Chapter

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method

Tymicki Emil

2012

Text

Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS

Pawłowski Michał

2012

Text

Niektóre problemy związane z jakością materiału wyjściowego w technologii krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Some problems of starting material quality in silicon devices technology

Pietras Edward

1975

Text

Automatyczny zestaw pomiarowy dla określania oporności właściwej metodą rozpływu oporności = Automatic measuring system for resistance determining by the spreading resistance method

Cybulski Piotr

1979

Text

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni = Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisław

2009

Text

Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 = Investigation of radiative recombination in GaAs1-xPx epitaxial layers with 0,3<x<0,44

Gładysz Maria

1983

Text

Badanie rozkładu grubości emisji światłoczułych naniesionych na płyty metodą kontrolowanego wyciągania = Investigations of the thickness distribution of a light-sensitive emulsion layer, deposited on the plate by dip-coating technique

Blinkow Wiktor

1982

Text

Wpływ udziału ziaren SiC na zjawisko krzywych R w spiekach Al2O3 = Effect if SiC particulate addition on R-curve behaviour of alumina

Tomaszewski Henryk

1998

Text

Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET = Deep defect centres in active layer of MESFETs

Kamiński Paweł

1993

Text

Filters

Search for: [End page = "27"]

Number of results: 14

Zastosowanie formuły Robertsona do wyznaczania wielkości naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = The use of Robertson's formula for the evaluation of stress in semiconductor materials

Monokryształy YAG : Cr4+ do pasywnej modulacji dobroci rezonatora lasera YAG : Nd3+ = YAG:Cr4+ crystals as passive q-switches for YAG:Nd3+ laser

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Thermal residual stress state in laser diode/heatsink joint systems depending on the properties of the heatsink material. FEM analysis

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method

Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS

Niektóre problemy związane z jakością materiału wyjściowego w technologii krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Some problems of starting material quality in silicon devices technology

Automatyczny zestaw pomiarowy dla określania oporności właściwej metodą rozpływu oporności = Automatic measuring system for resistance determining by the spreading resistance method

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni = Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals

Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 = Investigation of radiative recombination in GaAs1-xPx epitaxial layers with 0,3<x<0,44

Badanie rozkładu grubości emisji światłoczułych naniesionych na płyty metodą kontrolowanego wyciągania = Investigations of the thickness distribution of a light-sensitive emulsion layer, deposited on the plate by dip-coating technique

Wpływ udziału ziaren SiC na zjawisko krzywych R w spiekach Al2O3 = Effect if SiC particulate addition on R-curve behaviour of alumina

Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET = Deep defect centres in active layer of MESFETs

Technical contact

Address

Sitemap

Main page

Collections

Indexes

About project

User's account

Recently viewed

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by