Institute of Electronic Materials Technology

Resource type
- Text (24)
Collections
- Electronic Materials (24)
Type of object
- Book/Chapter (1)
File type
- application/pdf (24)
Content format
- PDF (24)
Object availability
- Available (24)
Date issued/created A date associated with an event in the life cycle of the resource
Access
- Open (24)

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 1

Wykorzystanie zjawiska powierzchniowej fali akustycznej w aplikacjach systemów mikroprzepływowych - przegląd rozwiązań = Applications of microfluidic system based on surface acoustic wave phenomenon - overeview

Nowek Andrzej

2013

Book/Chapter

Badanie układu 4,4' dwuheksyloksyazoksybenzen - 4,4' azoksyanizol metodą termicznej analizy różnicowej = Investigation of 4,4' - dihexyloxyazaxybenzene - 4,4' - azoxyanisole system by by differential thermal analysis

Pyżuk Wiesław

1976

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Kot Waldemar

1985

Text

Wpływ zanieczyszczeń metalicznych na profil sygnału EBIC w krzemowych strukturach epitaksjalnych = Influence of metalic contaminations on EBIC signal profiles in silicon epilayers

Pawłowska Marta

1995

Text

Wpływ zawartośąci tlenu w atmosferze spiekania na przemianę C-T niestabilizowanych ziaren dwutlenku cyrkonu rozproszonych w korundowej martycy. Cz. 2 = Oxygen vacancy concentration - phase composition of zirconia dispersed in alumina matrix

Tomaszewski, Henryk

1994

Text

Rozmieszczenie dodatków tlenkowych w tworzywie warystorowym na bazie ZnO = Oxide addittions distribution in ZrO based varistor ceramics

Hozer Leszek

1987

Text

Spis treści 1987 nr 1(57) = Contents 1987 nr 1(57)

1987

Text

Badania metodami rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej defektów strukturalnych monokryształów Y2Al5O12 silnie domieszkowanych neodymem = The investigation of structural defects in the heavily Nd - doped YAG crystals by means of \\x-ray diffraction topography

Mazur Krystyna

1988

Text

Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu = Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms

Kozłowski Roman

2012

Text

Spis treści 2012 T.40 nr 1 = Contents 2012 T.40 nr 1

2012

Text

Badanie możliwości otrzymywania monokryształów tlenków żelaza i niklu metodą transportu materiału w łuku elektrycznym prądu stałego = Research in receiving of ferric and nickel oxide by the method of material transport in d.c. electric arc.

Gwelesjani G.G.

1976

Text

Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique

Dalecki Wojciech

1997

Text

Barwione tworzywo alundowe jako nowy materiał dla optoelektroniki = Coloured alumina as a new material for optoelectgronics

Bień Adam

1974

Text

Badanie mikroporowatości polerowanej powierzchni płytek krzemowych w celu dostosowania sposobu ich wytwarzania do nowych wymagań jakościowych = Study of micro-roughness of the polished surface of silicon wafers aimed at fulfilling the new quality requirements

Piątkowski Bronisław

2012

Text

Spis treści 2012 T.40 nr 2 = Contents 2012 T.40 nr 2

Materiały Elektroniczne T.40 nr 2

2012

Text

Oanaczanie zawartosci Cr(VI) w powłokach cynkowych, pasywowanych chromem = Cr(V) assay in chrome-passivated zinc coating

Zalewska Izabela

2011

Text

Prezentacja głównego zakresu możliwosci obrazowania i analiza za pomoca mikroskopu Auriga Crossbeam Workstation firmy Carl Zeiss znajdującego się w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie

Jóźwik, Iwona

2009

Text

Rola dyfuzji kationów w odkształcaniu nadplastycznym ceramik tlenkowych. Cz. 2. Pomiary szybkości odkształcania = The role of cation diffusion in superplastic deformation of oxide ceramics. Part 2 Strain rate measurements

Boniecki Marek

2008

Text

Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper = Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi

Pasternak Iwona

2013

Text

Nakładanie fotorezystorów metodą wypływu ze zbiornika = Metal sheets coating by photoresists outflow from a tank

Cendrowski Sławomir

1992

Text

Analiza śladowa związków metaloorganicznych wysokiej czystości dla epitaksji = Trace analysis of high purity organo-metallic compounds for epitaxy

Kalinowski Krzysztof

1991

Text

Analiza możliwości zastosowania wysokorozdzielczej dyfraktomaterii rentgenowskiej do badań parametrów strukturalnych warstw epitaksjalnych i supersieci = The possibility of application of high resolution x-ray diffraction for determination the structural parameters of epilayers and superlattices

Sass Jerzy

1994

Text

Spis treści 2011 T.39 nr 3 = Contents 2011 T.39 nr 3

2011

Text

1
of
1

This page uses 'cookies'. More information