Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

Prev of 41 Next

X-ray diffraction topography of lattice defects in MgAl2O4 and ScAlMgO4 crystals grown under different technological conditions

Wierzbicka Edyta

2015

Text

Electrical properties of nitrogen-enriched silicon single crystals

Kamiński Paweł

2015

Text

Influence of the CONTIN numerical procedure parameters on the shape of the spectral fringes obtained through the analysis of the temperature changes of the photocurrent relaxation waveforms

Żelazko Jarosław

2015

Text

Polymer luminescent concentrators containing oxide nanocrystals doped with rare-earth elements matched to an edge-illuminated silicon solar cell

Sarnecki Jerzy

2015

Text

InP nanowires for photovoltaic applications

Dumiszewska Ewa

2015

Text

Spis treści. T. 43 Nr 4 [2015]

Materiały Elektroniczne

2015

Book/Chapter

Hydrophobic organic layers on smooth and 3-dimensional developed surfaces

Stańczyk Beata

2015

Text

Mechanical properties of graphene flake-reinforced Y2O3 ceramics

Boniecki Marek

2015

Text

Towards improvement of beam quality of wide-stripe high-power laser diodes

Maląg Andrzej

2015

Text

Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis

Sadura Jolanta

2015

Text

Spis treści. T. 43 Nr 3 [2015]

Materiały Elektroniczne

2015

Text

Analysis of crystal lattice deformation in the vicinity of dislocation

Jóźwik Przemysław

2015

Text

Selection of parameters used in thermal reduction process of nanosilver powder precursor aimed at obtaining optimal structure of silver crystallites

Pawłowski Radosław

2015

Book/Chapter

Solution growth of 3C-SiC by TSSG method

Raczkiewicz Marcin

2015

Text

Spis treści. T.43 Nr 2 [2015]

Electronic Materials

2015

Text

Materials science: technology and society = Nauki materiałowe: technologia i stowarzyszenie badawcze

Kohl Walter N.

1977

Text

Evoljucija predstavlenij o roli materialov v naučno-techničeskom progresse ( na primere materialov, primerjaemych v elektronike) = Ewolucja poglądów na rolę materiałów w postępie naukowo-technicznym (na przykładzie materiałów stosowanych w elektronice)

Plotkin S.Ja.

1977

Text

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič, Andreja V.

1977

Text

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Milwidskij M.G.

1976

Text

Spis treści 1976 nr 3(15) = Contents 1976 nr 3(15)

1976

Text

Polikrystaliczna ceramika korundowa = Polycrystalline alumina ceramic

Radziszewska-Kępka Ewa

1976

Text

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

Badanie układu 4,4' dwuheksyloksyazoksybenzen - 4,4' azoksyanizol metodą termicznej analizy różnicowej = Investigation of 4,4' - dihexyloxyazaxybenzene - 4,4' - azoxyanisole system by by differential thermal analysis

Pyżuk Wiesław

1976

Text

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976

Text

Prof. Witold Rosiński - nestor polskiej elektroniki sam o sobie

Rosiński Witold

2008

Text

1
2
3
of
41

This page uses 'cookies'. More information