Institute of Electronic Materials Technology

Resource type
- Text (69)
Collections
- Electronic Materials (69)
Type of object
- Book/Chapter (2)
File type
- application/pdf (69)
Content format
- PDF (69)
Object availability
- Available (69)
Date issued/created A date associated with an event in the life cycle of the resource
Access
- Open (69)

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 3 Next

Towards improvement of beam quality of wide-stripe high-power laser diodes

Maląg Andrzej

2015

Text

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Milwidskij M.G.

1976

Text

Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si = Application of transmission X-ray topography in the non-parallel system of biocrystal spectrometer for homoepitaxial Si layers investigations

Sass Jerzy

1974

Text

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs = Determination of electrical properties for epitaxial GaAs1-P on the GaAs substrates

Kot Waldemar

1977

Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Technologie materiałów kompozytowych na bazie Cu-Cr = Technology of Cu-Cr based composite materials

Kostkowski Andrzej

1990

Text

Stan i perspektywy rozwoju metalurgii proszków = Condition and perspectives of the development of powder metallurgy

Ciszewski Bohdan

1990

Text

Mechanizm wpływu pola magnetycznego na wzrost kryształów = Mechanism magnetic field dependence of the crystal growth

Wadas Romuald

1990

Text

Badania zmian morfologicznych produktów rozkładu parawolframianu amonowego = On the morphology products of thermal decompositions of ammonium paratungstate

Ważyńska Barbara

1985

Text

Indukcyjna plazma mikrofalowa (MIP) jako źródło wzbudzenia w spektroskopii emisyjnej. Model spektrometru = Microwave induced plasma (MIP) as an excitation source in emission spectroscopy. Model of the spectrometer

Ramsza Andrzej P.

1985

Text

Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu = On some properties of "antisite" defects in neutron irradiated GaAs

Wosik Jarosław

1986

Text

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986

Text

Wpływ CoO i Mn2O3 na własności elektryczne tworzywa warystorowego na bazie ZnO = Influence of Coa and Mn2O3 on electrical properties of metal oxide varistors

Hozer Leszek

1985

Text

Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju = Silicon epitaxy. Trends

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1984

Text

Warstwy pośrednie w złączach materiałów różnoimiennych = Interface between metal and nonmetal seals

Włosiński, Władysław K

1984

Book/Chapter

Problematyka wytwarzania szklanych filtrów korekcyjnych do ogniw fotoelektrycznych = The problems of corrective glass filters production for photo - voltaic cells

Stępień Ryszard

1988

Text

Analiza zjawiska wtórnego spiekania kompozytowych materiałów stykowych typu metal-metal w łuku elektrycznym = Analysis of secondary sintering phenomena of composite contact materials metal-metal type in the electric arc

Senkara Jacek

1988

Text

Optymalizacja procesu otrzymywania proszku srebra do past elektronicznych = The optimalization of the process of obtaining silver powder for electronic pastes

Jakubowska Małgorzata

1987

Text

Wykorzystanie wtórnej emisji elektronów, spektroskopii elektronów Augera i dyfrakcji powolnych elektronów do badania składu chemicznego i doskonałości powierzchni monokryształów = Application of secondary electron emission, Auger electron spectroscopy and low-energy electron diffraction in the investigation of perfection of a silicon crystal surface

Mróz Stefan

1987

Text

Sposób wyznaczania rezystywności materiałów stykowych na próbkach w kształcie krążków = Procedure of resistivity assigning of contact materials on samples in form of cicrular plates

Chylińska Maria

1985

Text

Spajanie ceramicznych prewodników jonowych z metalami = Bonding of ionic ceramic conductors to metals

Pietrzak Katarzyna

1987

Text

Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4) = Influence of substrates defect structure on the structure perfection of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs(x=0.4)

Pawłowska Marta

1987

Text

Materiały magnetyczne twarde Nd-Fe-B = Hard magnetic materials Nd-Fe-B

Leonowicz, Marcin

1988

Text

Modelowanie zmian prędkości wzrostu monokryształów kwarcu = The modeling of growth rate variations of quartz single crystals

Hofman Władysław

1988

Text

Materiały do chłodzenia termoelektrycznego = Cooling thermoelectric materials

Mogielnicki Henryk

1983

Text

1
2
of
3

This page uses 'cookies'. More information