Institute of Electronic Materials Technology

Resource type
- Text (25)
Collections
- Electronic Materials (25)
File type
- application/pdf (25)
Content format
- PDF (25)
Object availability
- Available (25)
Date issued/created A date associated with an event in the life cycle of the resource
Access
- Open (25)

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 1

Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu = Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms

Kozłowski Roman

2012

Text

Pomiary rozkładu amplitudy i fazy akustycznej fali powierzchniowej w krysztale NdCa4O(BO3)3 z wykorzystaniem sondy elektrycznej = Measurements of the amplitude and the phase distribution of a surface acoustic wave in a NdCa4O(BO3)3 crystal using an electric probe

Brzozowski Ernest

2012

Text

Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm = The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band

Dąbrowska Elżbieta

2012

Text

Spis treści 2012 T.40 nr 1 = Contents 2012 T.40 nr 1

2012

Text

Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3" zmodyfikowaną metodą Czochralskiego = Evaluation of growth conditions for 3" gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method

Mirowska Aleksandra

2012

Text

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Wójcik Marek

2012

Text

Określenie koncentracji współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG = Determination of concentration and the segregation of active rare earth ions in YAG epitaxial layers and waveguide structures

Sarnecki Jerzy

2012

Text

Nowoczesne materiały termoelektryczne - przegląd literaturowy = Advanced thermoelectric materials - literature review

Królicka Aleksandra

2012

Text

Próby wytwarzania soczewek Fresnela metodą wytłaczania na gorąco w szkłach tlenkowych dedykowanych na zakres od 400 do 8000 nm = Trial processes of fresnell lenses moulding in oxide glasses intended for vis and midir regions using the hot embossing technique

Kujawa Ireneusz

2012

Text

Właściwości mechaniczne przeświecalnego spinelu MgAl2O4 = Mechanical properties of translucent MgAl2O4 spinel

Boniecki Marek

2012

Text

Spis treści 2012 T.40 nr 4 = Contents 2012 T.40 nr 4

2012

Text

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method

Hruban Andrzej

2012

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym = Silicon epitaxial deposited porous silicon for photovoltaic applications

Lipiński Dariusz

2012

Text

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method

Tymicki Emil

2012

Text

Rola wymiaru cząstek w procesie formowania struktury proszku kompozytowego metodą syntezy mechanicznej = The role of particle size in the process of forming the structure of a composite powder by mechanical alloying

Gładki Andrzej

2012

Text

Spis treści 2012 T.40 nr 3 = Contents 2012 T.40 nr 3

2012

Text

Badanie mikroporowatości polerowanej powierzchni płytek krzemowych w celu dostosowania sposobu ich wytwarzania do nowych wymagań jakościowych = Study of micro-roughness of the polished surface of silicon wafers aimed at fulfilling the new quality requirements

Piątkowski Bronisław

2012

Text

Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS

Pawłowski Michał

2012

Text

Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs = Application of the far-infrared reflectance spectroscopy to characterization of AlAs/GaAs Bragg mirrors

Możdżonek Małgorzata

2012

Text

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi = Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray technoques

Sakowska Halina

2012

Text

Spis treści 2012 T.40 nr 2 = Contents 2012 T.40 nr 2

Materiały Elektroniczne T.40 nr 2

2012

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą skaningowej i prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers of GaAs1-x Px/GaAs by means of scanning and transmission electron microscopy

Drabik Wojciech

1983

Text

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Drabik Wojciech

1983

Text

Wpływ obróbki termicznej na własności optyczne monokryształów GaAs otrzymanych metodami Bridgmana i Czochralskiego = Effect of heat treatment on photoluminescence of Te-doped and undoped GaAs crystals grown by Czochralski and Bridgman methods

Gładysz Maria

1983

Text

Spis treści 1982 nr 4(40) = Contents 1982 nr 4(40)

1983

Text

1
of
1

This page uses 'cookies'. More information