Generacja defektów w czasie dyfuzji cynku do arsenku galu = Generation of defects during zinc diffusion in gallium arsenide - Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Generacja defektów w czasie dyfuzji cynku do arsenku galu = Generation of defects during zinc diffusion in gallium arsenide

Download

Title: Generacja defektów w czasie dyfuzji cynku do arsenku galu = Generation of defects during zinc diffusion in gallium arsenide

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1975 nr 3(11)

Contributor:

Benbenek Zbigniew

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 12-24 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 24

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:19840

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 1. Research and development of modern technologies ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials Electronic - journal - materials GaAs zinc diffusion generation of defects

Object collections:

Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Electronic Materials

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Feb 12, 2013

Number of object content downloads / hits:

606

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/itme/publication/10770

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Pietras Edward, Generacja defektów w czasie dyfuzji cynku do arsenku galu	Oct 2, 2020

Objects Similar

Problemy związane z jakością arsenku galu w technologii dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych

Pietras Edward

1977

Text

Układy scalone z arsenku galu = GaAs integrated circuits

Marciniak Wiesław

1990

Text

Arsenek galu : z doświadczeniem ku przyszłości = Gallium arsenide: with experience towards future

Rosiński Witold

1990

Text

Warunki generacji promieniowania w cynkowych warstwach dyfuzyjnych z arsenku galu = The conditions of radiation generation in gallium arsenide with differee layer

Pietras Edward

1978

Text

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Milwidskij M.G.

1976

Text

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET = GaAs diagnostics for MESFET's

Kot Waldemar

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals

Pawłowska Marta

1988

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information