Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą skaningowej i prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers of GaAs1-x Px/GaAs by means of scanning and transmission electron microscopy - Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą skaningowej i prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers of GaAs1-x Px/GaAs by means of scanning and transmission electron microscopy

Download

Title: Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą skaningowej i prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers of GaAs1-x Px/GaAs by means of scanning and transmission electron microscopy

Creator:

Drabik Wojciech

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1982 nr 4(40)

Contributor:

Pawłowska Marta ; Toruń Jędrzej

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 37-42 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 42

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:6665

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - materials Electronic - materials GaAs heteroepitaxy SEM TEM

Object collections:

Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Electronic Materials

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jun 22, 2012

Number of object content downloads / hits:

1005

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/itme/publication/12242

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Drabik Wojciech, Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą skaningowej i prześwietleniowej mikroskopii elektronowej	Oct 2, 2020

Objects Similar

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Drabik Wojciech

1983

Text

Układy scalone z arsenku galu = GaAs integrated circuits

Marciniak Wiesław

1990

Text

Arsenek galu : z doświadczeniem ku przyszłości = Gallium arsenide: with experience towards future

Rosiński Witold

1990

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rupniewski Wojciech

1976

Text

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Milwidskij M.G.

1976

Text

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET = GaAs diagnostics for MESFET's

Kot Waldemar

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals

Pawłowska Marta

1988

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information