Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds - Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds

Download

Title: Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds

Creator:

Dumiszewska Ewa

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 3

Publisher:

Place of publishing:

Description:

Bibliogr. s. 14 ; 10-14 s. : il. 30 cm.

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:27753

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - materials Electronic - materials solar cells MOCVD InGaP/Ge junction

Object collections:

Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Electronic Materials

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

May 14, 2013

Number of object content downloads / hits:

961

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/itme/publication/17050

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Dumiszewska Ewa, Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge	Oct 2, 2020

Objects Similar

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Jasik Agata

1997

Text

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wesołowski Marek

2007

Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995

Text

Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne = MOVPE deposition of III-V compounds. The main technological issues

Dumiszewska Ewa

2003

Text

Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-xCdxTe) za pomocą wykonanych fotodiod = Characterization of mercury cadmium telluride (Hg, Cd, Te) epitaxial layers using the manufacturing photodiodes

Królicka Aleksandra

2011

Text

InP nanowires for photovoltaic applications

Dumiszewska Ewa

2015

Text

Influence of material properties on parameters of silicon solar cells = Wpływ właściwości materiałowych na parametry eksploatacyjne krzemowych ogniw słonecznych

Swatowska Barbara

2008

Text

The main properties of amorphous antireflective coating for silicon solar cells = Najważniejsze właściwości amorficznych warstw antyrefleksyjnych (ARC) do zastosowań w krzemowych ogniwach słonecznych

Swatowska Barbara

2008

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information