Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5 = The use of ESR method for characterization of paramagnetic defects in semiconductor A3B5 crystals - Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5 = The use of ESR method for characterization of paramagnetic defects in semiconductor A3B5 crystals

Download

This publication is protected by copyright. Check the terms of use in the publication description.

This publication is protected by copyright. Check the terms of use in the publication description.

Title: Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5 = The use of ESR method for characterization of paramagnetic defects in semiconductor A3B5 crystals

Creator:

Palczewska Maria

Date issued/created:

Resource type:

Contributor:

Kamińska, Maria : Promotor.

Publisher:

Place of publishing:

Description:

66 s. : il. ; 30 cm. ; Bibliogr. s.64-66

Relation:

PhD Dissertations

Detailed Resource Type:

PhD Dissertations

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:38538

Source:

ITME, sygn. P/1184 ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Restricted Access

Terms of use:

Copyright-protected material. Access only for persons authorised by the Institute of Electronic Materials Technology.

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials ESR method defect center deep center paramagnetic defect A3B5 compound

Object collections:

Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Doctoral and postdoctoral dissertations

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jan 15, 2014

Number of object content downloads / hits:

104

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/itme/publication/31106

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

ROZPRAWY DOKTORSKIE i HABILITACYJNE

Edition name	Date
Palczewska Maria, Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5. Praca doktorska	Oct 2, 2020

Objects Similar

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Palczewska Maria

1995

Text

Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4) = Paramagnetic defects in PbWO4

Jabłoński Ryszard

1997

Text

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds

Kozłowski Roman

1998

Text

Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu = A dependence of defective structure of lithium tetraborate crystals on growth condictions

Kisielewski Jarosław

1998

Text

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors

Kozłowski Roman

2001

Text

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów = The measurement circuit for defect centers investigation by the method of the deep levels transient capacitance spectroscopy

Lamperski Jan

1983

Text

Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska = Effect shallow impurities on the properties and concentrations of deep-level defect centres in SiC

Kozubal Michał

2011

Book/Chapter

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information