Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska - Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Download

Title: Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Praca doktorska.

Contributor:

Grasza, Krzysztof : Promotor

Publisher:

Place of publishing:

Description:

135 s. il. ; 30 cm ; Bibliogr. 119-135

Relation:

PhD. Dissertations

Detailed Resource Type:

PhD Dissertations

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:38756

Source:

ITME, sygn. P/2370 ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Institute of Electronic Materials Technology

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials 4H-SiC 6H-SiC PVT

Object collections:

Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Doctoral and postdoctoral dissertations

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jan 21, 2014

Number of object content downloads / hits:

2173

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/itme/publication/35343

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

ROZPRAWY DOKTORSKIE i HABILITACYJNE

Edition name	Date
Tymicki Emil, Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej	Oct 2, 2020

Objects Similar

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii

Kamiński Paweł

2010

Text

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy

Caban Piotr

2008

Text

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers

Kozubal Michał

2010

Text

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method

Tymicki Emil

2012

Text

Spis treści 1984 nr 4(48) = Contents 1984 nr 4(48)

1984

Text

Spis treści 1992 T.20 nr 4 = Contents 1992 T.20 nr 4

1992

Text

Ceramika w elektronice - przegląd zastosowań i wybranych zagadnień technologicznych = Ceramics in electronics - review of application and several

Librant Zdzisław

1989

Text

Technologia końca lat 80-tych = Technology of late eighties

Szymański Andrzej

1989

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information