Metadata language
Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
Subtitle:Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 2
Creator: Contributor:Orłowski Wacław ; Strzelecka Stanisława ; Piersa, Mirosław. ; Jurkiewicz-Wegner Elżbieta ; Mirowska Aleksandra ; Rojek Anna
Publisher: Place of publishing: Date issued/created: Description:s. 18-25 : il. ; 30 cm. ; Bibliogr. s. 25
Subject and Keywords:SI GaAs ; arsenek galu ; metoda Czochralskiego ; LEC ; orientacja
Relation: Volume: Issue: Start page: End page: Resource type: Detailed Resource Type: Format: Source:ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link
Language: Rights:Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Terms of use: Digitizing institution:Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Original in:Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Projects co-financed by:Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
Access: