Metadata language
Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion / Andrzej Materna.
Subtitle:Otrzymywanie polarnego półprzewodnika BiTeI, wykazującego silną asymetrię inwersji
Creator: Contributor: Publisher: Place of publishing: Date issued/created: Description:Bibliogr.: s.23 ; 12-23 il., 30 cm.
Type of object: Subject and Keywords:izolator topologiczny ; związki BiTeX (X= I, Br, Cl)
References:
krystalizacja metodą VB
krystalizacja metodą CVT
Licencja Creative Commons Uznanie autorstwa 4.0
Terms of use: Digitizing institution:Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Original in:Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Projects co-financed by:Działalność upowszechniająca naukę (DUN) ; Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego
Access: