Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- material] OR [Subject and Keywords = heterostructure] OR [Subject and Keywords = GaAs] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = GaAs] OR [Subject and Keywords = heterostruktura] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Title = Heteroepitaksjalne struktury GaAs\-Si = GaAs\-Si heteroepitaxial structures] OR [Title = Heteroepitaksjalne struktury GaAs\-Si] OR [Creator = Tomaszewski Jacek] OR [Creator = Tomaszewski, Jacek]

Number of results: 924

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Układy scalone z arsenku galu = GaAs integrated circuits

Marciniak Wiesław

1990

Text

Arsenek galu : z doświadczeniem ku przyszłości = Gallium arsenide: with experience towards future

Rosiński Witold

1990

Text

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs = Determination of internal quantum efficiency of radiative recombination in GaAs single crystals from photoluminescence measurements of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructures

Bugajski Maciej Jagoda Andrzej Szymański Leszek

1976

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rupniewski Wojciech

1976

Text

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Drabik Wojciech

1983

Text

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals

Jabłoński Ryszard

1988

Text

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs = X-ray investigation of semi-insulating GaAs single crystals

Wierzchowski Wojciech

1988

Text

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1988

Text

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method

Hruban Andrzej

2012

Text

Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a

Pawłowski, Michał

2006

Text

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych = Semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs) for MESFET's and integrated circuits

Hruban Andrzej

1990

Text

Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter

Orłowski, Wacław

1995

Text

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu = Influence of carbon on semi-insulating GaAs crystals

Strzelecka Stanisława

1996

Text

Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs = Investigation of absorption spectra of Si GaAs

Surma Barbara

1994

Text

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Milwidskij M.G.

1976

Text

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET = GaAs diagnostics for MESFET's

Kot Waldemar

1990

Text

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals

Pawłowska Marta

1988

Text

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 1 =

Nishizawa Jun-ichi

1996

Text

Impulsowe wygrzewanie implantowanego arsenku galu = Rapid thermal annealing of imolanted galium arsenide

Rosiński Witold

1996

Text

Siła piezotermoelektryczna w arsenku galu typu p = The piezothermoelectric force in the gallium arsenide type p

Swiridow Iwan

1973

Text

Problemy związane z jakością arsenku galu w technologii dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych

Pietras Edward

1977

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1992 nr 1(77) = ITME employees participationin conferences 1992 nr 1(77)

1992

Text

Wpływ wyjściowego arsenku galu na moc promieniowania dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych = The influence of initial gallium arsenide parameters on power emitted by light-emitting diodes

Kowalski Jerzy

1975

Text

Filters

Number of results: 924

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by