Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = SI GaAs] OR [Subject and Keywords = compensation payments LFA] OR [Subject and Keywords = carbon doping] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = SI GaAs] OR [Subject and Keywords = kompensacja] OR [Subject and Keywords = domieszkowanie węglem] OR [Title = Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu = Influence of carbon on semi\-insulating GaAs crystals] OR [Title = Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu] OR [Creator = Strzelecka Stanisława] OR [Creator = Strzelecka Stanisława]

Number of results: 918

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals

Jabłoński Ryszard

1988

Text

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs = X-ray investigation of semi-insulating GaAs single crystals

Wierzchowski Wojciech

1988

Text

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1988

Text

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method

Hruban Andrzej

2012

Text

Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a

Pawłowski, Michał

2006

Text

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych = Semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs) for MESFET's and integrated circuits

Hruban Andrzej

1990

Text

Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter

Orłowski, Wacław

1995

Text

Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs = Investigation of absorption spectra of Si GaAs

Surma Barbara

1994

Text

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors

Kozłowski Roman

2001

Text

Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates

Hruban Andrzej

2013

Text

Wpływ pola magnetycznego na proces monokrystalizacji krzemu metodą Czochralskiego = Effect of magnetic field on Czochralski monocrystallisation of silicon

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Strzelecka, Stanisława

2006

Text

Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP = Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisława

2009

Text

Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni = Determination of carbon concentration in GaP single crystals from absorption spectra in infrared range

Strzelecka Stanisława

2007

Text

Elektryczne i optyczne metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów fosforku indu domieszkowanych żelazem = Characterization of semi-insulating InP:Fe by electrical and optical measurements

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów = Compensation ratio determination for Si:P based on electron concentration temperature dependence

Kot Waldemar

1985

Text

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni = Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisław

2009

Text

Spis treści 1984 nr 4(48) = Contents 1984 nr 4(48)

1984

Text

Spis treści 1992 T.20 nr 4 = Contents 1992 T.20 nr 4

1992

Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Book/Chapter

Electronic Materials

2020

Book/Chapter

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014

Book/Chapter

Filters

Number of results: 918

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by