Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = laser diode] OR [Subject and Keywords = heterostructure] OR [Subject and Keywords = burn\-in tests] OR [Subject and Keywords = degradation] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = dioda laserowa] OR [Subject and Keywords = heterostruktura] OR [Subject and Keywords = badania starzeniowe] OR [Subject and Keywords = nioezawodność diody laserowej] OR [Title = Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm = The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band] OR [Title = Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm] OR [Creator = Dąbrowska Elżbieta] OR [Creator = Dąbrowska Elżbieta]

Number of results: 919

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn = Investigation of solder - induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn

Dąbrowska Elżbieta

2009

Text

Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych = Evaluation of the mounting quality of laser diodes emitting at 808nm by thermal resistance and spectral characteristics measurements

Dąbrowska Elżbieta

2011

Text

Filtr telewizyjny pośredniej częstotliwości z akustyczna falą powierzchniową typu FTQ-384 do quasirównoległego odbioru fonii = TV IF SAW filter type FTQ-384 for quasiparallel sound applications

Dąbrowska Elżbieta

1993

Text

Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii = Dynamics of active region self-heating in laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design - a comparison by time-resolved spectroscopy

Maląg Andrzej

2008

Text

Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation

Dąbrowska Elżbieta

2014

Book/Chapter

Badanie możliwości otrzymywania monokryształów tlenków żelaza i niklu metodą transportu materiału w łuku elektrycznym prądu stałego = Research in receiving of ferric and nickel oxide by the method of material transport in d.c. electric arc.

Gwelesjani G.G.

1976

Text

Thermal residual stress state in laser diode/heatsink joint systems depending on the properties of the heatsink material. FEM analysis

Kaliński Dariusz

2002

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wesołowski Marek

2007

Text

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Lenkiewicz D.

2007

Text

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well

Kamiński Paweł

2007

Text

Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy = High power laser diodes - design optimisation issues

Maląg Andrzej

2007

Text

Dynamika procesów cieplnych zachodzących w obszarze aktywnym liniowych matryc diod laserowych = Thermal processes dynamics in active regions of laser diodes in linear arrays

Wróbel Sylwia

2000

Text

Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych = Novel technologies of manufacturing of semiconductor structures

Bugajski Maciej

1990

Text

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy

Jasik Agata

1998

Text

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs = Determination of internal quantum efficiency of radiative recombination in GaAs single crystals from photoluminescence measurements of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructures

Bugajski Maciej Jagoda Andrzej Szymański Leszek

1976

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rupniewski Wojciech

1976

Text

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Wójcik Marek

2012

Text

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Drabik Wojciech

1983

Text

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV = X-Ray difraction analysis of the coherency strain in semiconductor AIIIBV layer structures

Sass Jerzy

2000

Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Book/Chapter

Electronic Materials

2020

Book/Chapter

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014

Book/Chapter

Spis treści 2013 T. 41 nr 4 = Contents 2013 T.41 nr 4

2013

Book/Chapter

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition / Rafał Stankiewicz, Anna PiDatkowska.

Stankiewicz, Rafał.

2018.

Book/Chapter

Filters

Number of results: 919

Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn = Investigation of solder - induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn

Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych = Evaluation of the mounting quality of laser diodes emitting at 808nm by thermal resistance and spectral characteristics measurements

Filtr telewizyjny pośredniej częstotliwości z akustyczna falą powierzchniową typu FTQ-384 do quasirównoległego odbioru fonii = TV IF SAW filter type FTQ-384 for quasiparallel sound applications

Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation

Badanie możliwości otrzymywania monokryształów tlenków żelaza i niklu metodą transportu materiału w łuku elektrycznym prądu stałego = Research in receiving of ferric and nickel oxide by the method of material transport in d.c. electric arc.

Thermal residual stress state in laser diode/heatsink joint systems depending on the properties of the heatsink material. FEM analysis

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well

Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy = High power laser diodes - design optimisation issues

Dynamika procesów cieplnych zachodzących w obszarze aktywnym liniowych matryc diod laserowych = Thermal processes dynamics in active regions of laser diodes in linear arrays

Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych = Novel technologies of manufacturing of semiconductor structures

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV = X-Ray difraction analysis of the coherency strain in semiconductor AIIIBV layer structures

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Electronic Materials

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

Spis treści 2013 T. 41 nr 4 = Contents 2013 T.41 nr 4

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition / Rafał Stankiewicz, Anna PiDatkowska.

Technical contact

Address

Sitemap

Main page

Collections

Indexes

About project

User's account

Recently viewed

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by