Search for: ([Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Subject and Keywords = stoichiometry] OR [Subject and Keywords = LPE] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = stechiometria] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Subject and Keywords = LPE] OR [Title = Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3] OR [Title = Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechniometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3] OR [Creator = Nishizawa Jun\-ichi] OR [Creator = Nishizawa Jun\-ichi])

Number of results: 918

Items per page:

add all to bibliography

of 39 Next

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 1 =

Nishizawa Jun-ichi

1996

Text

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 2 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych

Nishizawa Jun-ichi

1997

Text

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Świderski Jarosław

1976

Text

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Piga Witold

1983

Text

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976

Text

Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej = The liquid phase epitaxy of Er:YAG layers

Sarnecki Jerzy

1997

Text

Epitaksja z fazy ciekłej struktur mikrolaserowych Cr,Mg:YAG/Yb:YAG = Liquid phase epitaxy growth of Vr,Mg:YAG/Yb:YAG microlaser structures

Sarnecki Jerzy

2007

Text

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds

Pawłowska Joanna

2008

Text

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Jabłoński Ryszard

1986

Text

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Otto Elżbieta

1981

Text

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV = The investigation of the chemical composition profile and laterial homogenity of AIIIBV quatum wells

Gaca Jarosław

2005

Text

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Jasik Agata

1997

Text

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Pietras Edward

1973

Book/Chapter

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wesołowski Marek

2007

Text

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Kamiński, Paweł

1991

Text

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Palczewska Maria

1995

Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995

Text

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych = The study of single crystals and epitaxial layers with the use synchrotron radiation and simulation of diffraction images

Wierzchowski Wojciech

1994

Text

Określenie koncentracji współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG = Determination of concentration and the segregation of active rare earth ions in YAG epitaxial layers and waveguide structures

Sarnecki Jerzy

2012

Text

Wpływ składu roztworu wysokotemperaturowego na wartościowość jonów metali przejściowych w warstwach epitaksjalnych YAG i GGG = The influence of high temperature solution composition on transition metal ions valency in YAG and GGG epitaxial layers

Sarnecki Jerzy

2009

Text

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Kot Waldemar

1985

Text

Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique

Dalecki Wojciech

1997

Text

Zastosowanie metody mikroanalizy rentgenowskiej do badania składu chemicznego warstw epitaksjalnych związków potrójnych grupy AIIIBV na przykładzie GA1-xAlxAs = X-ray microanalysis application for the investigation of epitaxial layer chemical composition of AIIIBV group triple compounds with the Ga1-x\alx\as as a representative of this group

Kozłowska Halina

1974

Text

Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG = Liquid phase epitaxial growth and characterization of Nd:YAG/YAG waveguide laser structures

Sarnecki Jerzy

2000

Text

Filters

Number of results: 918

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 1 =

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 2 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej = The liquid phase epitaxy of Er:YAG layers

Epitaksja z fazy ciekłej struktur mikrolaserowych Cr,Mg:YAG/Yb:YAG = Liquid phase epitaxy growth of Vr,Mg:YAG/Yb:YAG microlaser structures

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV = The investigation of the chemical composition profile and laterial homogenity of AIIIBV quatum wells

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych = The study of single crystals and epitaxial layers with the use synchrotron radiation and simulation of diffraction images

Określenie koncentracji współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG = Determination of concentration and the segregation of active rare earth ions in YAG epitaxial layers and waveguide structures

Wpływ składu roztworu wysokotemperaturowego na wartościowość jonów metali przejściowych w warstwach epitaksjalnych YAG i GGG = The influence of high temperature solution composition on transition metal ions valency in YAG and GGG epitaxial layers

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique

Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG = Liquid phase epitaxial growth and characterization of Nd:YAG/YAG waveguide laser structures

Technical contact

Address

Sitemap

Main page

Collections

Indexes

About project

User's account

Recently viewed

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by