Filtry
  • Typ zasobu
  • Kolekcje
  • Typ obiektu
  • Typ pliku
  • Format treści
  • Dostępność obiektu
  • Data wydania/powstania Data związana z konkretnym wydarzeniem cyklu życia zasobu.
  • Dostęp
Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Szukana fraza: [Temat i słowa kluczowe = nuclear radiation detector] lub [Temat i słowa kluczowe = Si] lub [Temat i słowa kluczowe = epitaxial layer] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = Materiały elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = warstwa epitaksjalna] lub [Temat i słowa kluczowe = detektor promieniowania jądrowego] lub [Temat i słowa kluczowe = Si] lub [Tytuł = Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego = Silicon epitaxial layers for nuclear radiation detectors] lub [Tytuł = Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego] lub [Twórca = Nossarzewska\-Orłowska Elżbieta] lub [Twórca = Nossarzewska\-Orłowska Elżbieta]

Wyników: 926

Obiektów na stronie:
Dodaj wszystkie do bibliografii

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985
Tekst

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976
Tekst

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976
Tekst

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985
Tekst

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978
Tekst

Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1977
Tekst

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987
Tekst

Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1994
Tekst

Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1992
Tekst

Fotoluminescencja krzemu porowatego

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1993
Tekst

Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1984
Tekst

Epitaksja krzemu na krzemie porowatym

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1995
Tekst

Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1995
Tekst

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych

Borkowicz Jerzy

1975
Tekst

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających

Skwarcz Jerzy

1992
Tekst

Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej

Brzozowski Andrzej

1993
Tekst

Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metoda chemicznego barwienia

Przyborowska Krystyna

2011
Tekst

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

2010
Tekst

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych

Drzewiecki Paweł

1976
Tekst

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu

Dobiech Teresa

1982
Tekst

Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych

Nowysz Karol

1975
Tekst

Tellurek kadmu jako materiał do wytwarzania detektorów promieniowania jądrowego

Piga Witold

1978
Tekst

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny

Jakubicki Wojciech

1973
Tekst

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič Andreja V.

1977
Tekst

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach

Grzejszczyk Wanda

1990
Tekst

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji